[據美國物理組織網站2021年5月14日報道]  隨著晶體管的持續微細化，其傳導電流的通道越來越窄，需要不斷采用高電子遷移率材料。二硫化鉬等二維材料是理想的高電子遷移率材料，但將其與金屬導線互聯時在接觸界面會形成肖特基勢壘，這種現象會抑制電荷流動。事實證明，使用半金屬鉍并結合兩種材料之間的適當排列，可以降低導線與器件的接觸電阻從而消除該問題，使得摩爾定律可以進一步延續。

該研究由美國麻省理工學院牽頭，參研單位還包括美國加州大學伯克利分校、美國勞倫斯伯克利國家實驗室、臺積電公司、國立臺灣大學和沙特阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學。這項工作得到了美國國家科學基金會、美國陸軍研究辦公室、美國海軍研究辦公室以及美國能源部的支持。（國家工業信息安全發展研究中心 王巍）